[发明专利]基于硅衬底氮化物的光学微机电器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201110441613.5 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102602878A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王永进;朱洪波 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅衬底氮化物的光学微机电器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，硅衬底层具有硅结构；顶层悬空氮化物层具有光学器件结构以及微机电驱动器结构；本发明还公开了一种基于硅衬底氮化物的光学微机电器件的制备方法。本发明所设计的一种基于硅衬底氮化物的光学微机电器件提供了一种小型化、高密度的微机电光学器件，本发明所设计的制备方法能够有效减低由于残余应力造成的氮化物微纳米器件结构实现载体损伤问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 氮化物 光学 微机 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅衬底氮化物的光学微机电器件，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，其特征在于：所述硅衬底层具有硅结构；所述顶层氮化物器件层位于硅结构正上方的部分具有微纳米器件结构。
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