[发明专利]基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法无效
申请号: | 201110441603.1 | 申请日: | 2011-12-26 |
公开(公告)号: | CN102583215A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 王永进;朱洪波 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | B81B3/00 | 分类号: | B81B3/00;B81C1/00 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 许方 |
地址: | 210003 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法,实现载体为硅衬底III族氮化物晶片,包括硅衬底层,以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层,所述硅衬底层具有一个贯穿至所述顶层氮化物器件层下表面的长方体空腔;所述顶层氮化物器件层具有周期性氮化物纳米结构;本发明还公开了一种基于硅衬底氮化物悬空纳米光子器件的制备方法。本发明所设计的一种基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法能够消除硅衬底光吸收,降低厚膜氮化物材料的内部光损耗,改善器件表面高折射率差异造成的发光抑制,并进一步提高发光效率。 | ||
搜索关键词: | 基于 衬底 氮化物 悬空 纳米 光子 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件,实现载体为硅衬底III族氮化物晶片,包括硅衬底层,以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层,其特征在于:所述硅衬底层具有一个贯穿至所述顶层氮化物器件层下表面的长方体空腔;所述顶层氮化物器件层具有周期性氮化物纳米结构。
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