[发明专利]氮化物系半导体发光元件无效
| 申请号： | 201110421217.6 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102623893A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 口野启史;井下京治;井上升 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋光学设计株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/02;H01S5/028 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件，其具备n型氮化物系半导体层和在n型氮化物系半导体层的表面上所形成的n侧电极，其中，该n侧电极包括：具有由Si构成的第一金属层和由Al构成的第二金属层的欧姆电极层；具有在欧姆电极层的与n型氮化物系半导体层的相反侧所形成的且由Au构成的第三金属层的衰减电极层；和在欧姆电极层和衰减电极层之间所形成的势垒层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物系半导体发光元件，其具备n型氮化物系半导体层和在所述n型氮化物系半导体层的表面上所形成的n侧电极，其中，该n侧电极包括：具有由Si构成的第一金属层和由Al构成的第二金属层的欧姆电极层；在所述欧姆电极层的与所述n型氮化物系半导体层的相反侧所形成的且具有由Au构成的第三金属层的衰减电极层；在所述欧姆电极层和所述衰减电极层之间所形成的势垒层。
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