[发明专利]一种背面嵌入应变介质区的VDMOS器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201110415713.0 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102420253A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 万欣;周伟松;梁仁荣;刘道广;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种背面嵌入应变介质区的VDMOS器件及其制备方法，该VDMOS器件包括漏区、漂移区、JFET区、沟道区、源区、介质、栅极、隔离介质、源极金属和应变介质区。本发明的VDMOS器件通过在背面挖槽并嵌入应变膜，从而在VDMOS器件的整个电流通路中引入应力，使得电流传输路径上载流子迁移率均增加，从而能够降低VDMOS器件的导通电阻，同时避免了VDMOS器件中的闩锁效应。本发明的制备方法通过覆盖绝缘应变层的方法向半导体中引入应变，避免了采用外延技术所必须的高温过程，而且完全不需改变器件的表面结构，能够直接应用于已有的器件设计中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 嵌入 应变 介质 vdmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背面嵌入应变介质区的VDMOS器件，其特征在于，包括：半导体材料，在所述半导体材料内形成有漏区、漂移区、JFET区、沟道区和源区；形成在所述半导体材料之上的栅介质、栅极、隔离介质和源极金属；在所述半导体材料内还形成有应变介质区，所述应变介质区与所述漏区、漂移区、JFET区、沟道区和源区均接触，所述应变介质区的材料的晶格与半导体材料的晶格不匹配，能够在半导体材料中引入应力。
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