[发明专利]用于半导体集成电路器件的感测放大器结构有效
| 申请号： | 201110413980.4 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102543163A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 千德秀 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4091 | 分类号： | G11C11/4091 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种用于半导体集成电路器件的感测放大器结构。所述半导体集成电路器件包括第一信号线和第二信号线以及感测放大器，所述感测放大器包括多个PMOS晶体管和多个NMOS晶体管。感测放大器被配置为感测放大第一信号线与第二信号线之间的电势差。NMOS晶体管和PMOS晶体管的被施加相同信号并具有相同导电类型的结区被形成在一个集成有源区中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 集成电路 器件 放大器 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路器件，包括：第一信号线和第二信号线；以及感测放大器，所述感测放大器包括多个NMOS晶体管和多个PMOS晶体管，并且被配置为感测放大所述第一信号线与所述第二信号线之间的电势差，其中，PMOS晶体管和NMOS晶体管的被施加相同信号并具有相同导电类型的结区被集成在一起以共享一个有源区的一部分。
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