[发明专利]台面型单向负阻二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201110400117.5 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102437199A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 邓爱民;吴金姿;徐泓;保爱林 | 申请（专利权）人： | 绍兴旭昌科技企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 徐关寿 |
| 地址： | 312000 浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种台面型单向负阻二极管芯片及其制造方法。在硅基片其中一面掺杂与硅基片导电类型相反的杂质形成第一扩散层和第一PN结，在第一扩散层表面掺杂与硅基片导电类型相同，但杂质浓度高于第一扩散层掺杂浓度的杂质，形成第二扩散层和第二PN结，第一PN结和第二PN结的间距为2～15微米，暴露在凸台的侧壁上第一PN结和第二PN结的二端外侧设有钝化层，在凸台的台面和硅基片的底面设有金属层。本发明具有制造成本较低、制造方法简单、可实现全自动作业方式等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 单向 二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种台面型单向负阻二极管芯片，包括硅基片（1），其特征在于：在硅基片（1）其中一面掺杂与硅基片（1）导电类型相反的杂质形成第一扩散层（2）和第一PN结（4），在第一扩散层（2）表面掺杂与硅基片（1）导电类型相同，但杂质浓度高于第一扩散层（2）最高杂质浓度(C2)的杂质，形成第二扩散层（3）和第二PN结（5），其中，第一扩散层（2）的最高杂质浓度（C2）是硅基片（1）杂质浓度（C1）的10～100倍，第二扩散层（3）的最高杂质浓度（C3）是第一扩散层（2）最高杂质浓度（C2）的10～1000倍，第一PN结（4）和第二PN结（5）的间距（6）为2～15微米，暴露在凸台（7）的侧壁（8）上第一PN结（4）和第二PN结（5）的二端外侧设有钝化层（9），在凸台（7）的台面（10）和硅基片（1）的底面（11）设有金属层（12）。
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