[发明专利]SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110380662.2 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102437201A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 白云;申华军;汤益丹;李博;周静涛;杨成樾;刘焕明;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供SiC结势垒肖特基二极管，包括肖特基金属下的P型区，所述肖特基金属下的P型区分别由P+-SiC和P--SiC两个区域构成；所述SiC结势垒肖特基二极管的结终端延伸区域由P--SiC区构成。本发明还提供SiC结势垒肖特基二极管的制作方法。本发明提供的SiC结势垒肖特基二极管的制作方法降低了工艺的复杂度，减小了两次或多次Al离子注入工艺引入不利影响因素的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | sic 结势垒肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：肖特基金属下的P型区，所述肖特基金属下的P型区分别由P+‑SiC和P‑‑SiC两个区域构成；所述SiC结势垒肖特基二极管的结终端延伸区域由P‑‑SiC区构成。
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