[发明专利]半导体装置的制法

摘要

提供半导体装置的制法，其为不会降低成型性及固化性、高温高湿可靠性优异的半导体装置的制法，使用含下述(A)～(D)成分的半导体密封用环氧树脂组合物对半导体元件树脂密封，在树脂密封后施加加热处理工序，此加热处理在下述(x)所示条件下进行。(A)下述通式(1)所示的环氧树脂。上述式(1)中，X为单键、-CH₂-、-S-或-O-，R₁～R₄为-H或-CH₃且相互可相同也可不同，(B)酚醛树脂。(C)胺系固化促进剂。(D)无机质填充剂。(x)由热处理时间(t分钟)与热处理温度(T℃)的关系满足t≥3.3×10^-5exp(2871/T)的区域构成的热处理条件，其中，185℃≤热处理温度T℃≤300℃。

主权项

1.一种半导体装置的制法，其特征在于，其为使用含有下述的(A)～(D)成分的半导体密封用环氧树脂组合物对半导体元件进行树脂密封从而制造半导体装置的方法，在树脂密封之后施加加热处理工序，此加热处理在下述(x)所示的条件下进行，(A)下述的通式(1)所示的环氧树脂，[化学式1]上述式(1)中，X为单键、-CH₂-、-S-或-O-，另外，R₁～R₄为-H或-CH₃并且相互可以相同也可以不同，(B)酚醛树脂，(C)胺系固化促进剂，(D)无机质填充剂，(x)由热处理时间(t分钟)与热处理温度(T℃)的关系满足t≥3.3×10^-5exp(2871/T)的区域构成的热处理条件，其中，185℃≤热处理温度T℃≤300℃。