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[发明专利]半导体装置的制造方法、工件一体化装置、薄膜层叠体和半导体装置-CN202210963971.0在审
发明人：伊关亮;秋月伸也 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法、工件一体化装置、薄膜层叠体和半导体装置，在将半导体元件安装于基板来制造半导体装置时能在避免基板损伤的同时防止基板产生翘曲并能提高半导体装置的制造效率。具有安装于工件的半导体元件(7)被密封材料(9)密封的构造的半导体装置(11)的制造方法具备：工件载置过程，在该过程中，将工件载置于在承载件(1)上层叠用于保持工件的保持薄膜而成的薄膜层叠体的保持薄膜侧；元件安装过程，在该过程中，在被载置于薄膜层叠体的工件上安装半导体元件；密封过程，在该过程中，利用密封材料将安装于工件的半导体元件密封；以及脱离过程，在该过程中，使工件和被密封材料密封的半导体元件脱离薄膜层叠体。
半导体装置制造方法工件一体化薄膜层叠

[发明专利]粘合片粘贴方法、粘合片粘贴装置和半导体产品的制造方法-CN202110584797.4在审
发明人： 秋月伸也;山本雅之 -专利权人：日东电工株式会社;日东精机株式会社
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供能够相对于形成有环状凸部的半导体晶圆的环状凸部形成面精度良好地粘贴粘合片并能更可靠地避免在半导体晶圆产生损伤的粘合片粘贴方法、粘合片粘贴装置和半导体产品的制造方法。该粘合片粘贴方法具备：第1粘贴过程，在该第1粘贴过程中，将粘合带(DT)和在一个面的外周具有环状凸部(Ka)的晶圆(W)收纳于腔室(29)，在将腔室(29)的内部空间减压了的状态下使粘合带(DT)接触于晶圆(W)的环状凸部形成面，由此利用粘合带(DT)覆盖该环状凸部形成面；以及第2粘贴过程，该第2粘贴过程是在该第1粘贴过程之后，通过提高腔室(29)的内部空间的压力，从而将粘合带(DT)粘贴于晶圆(W)的环状凸部形成面。
粘合粘贴方法装置半导体产品制造

[发明专利]粘合片粘贴方法、粘合片粘贴装置和半导体产品的制造方法-CN202110597940.3在审
发明人： 秋月伸也;山本雅之 -专利权人：日东电工株式会社;日东精机株式会社
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供能够相对于形成有环状凸部的半导体晶圆的环状凸部形成面精度良好地粘贴粘合片并能更可靠地避免在该半导体晶圆产生损伤的粘合片粘贴方法、粘合片粘贴装置和半导体产品的制造方法。该粘合片粘贴方法具备粘贴过程，在该粘贴过程中，通过对在一个面的外周具有环状凸部(Ka)的晶圆(W)的环状凸部形成面附着有粘合片(DT)而构成的片复合体(M)施加比大气压高的压力，从而将粘合片(DT)粘贴于晶圆(W)的环状凸部形成面。在粘贴过程中，能够对粘合片(DT)施加足够大的按压力(V1)，因此能够大大提高粘合片(DT)与晶圆(W)的密合力。因此，即使在经过了时间的情况下也能够避免粘合片(DT)从晶圆(W)剥离。
粘合粘贴方法装置半导体产品制造

[发明专利]器件密封方法、器件密封装置和半导体产品的制造方法-CN202110334362.4在审
发明人： 秋月伸也;山本雅之 -专利权人：日东电工株式会社;日东精机株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供精度良好地密封器件且使密封过程中的工件和密封材料的处理变得容易的器件密封方法、器件密封装置和半导体产品的制造方法。器件密封方法具备：第1密封过程，在该第1密封过程中，将密封片(S)和搭载有LED(11)的基板(10)收纳于腔室(29)，以对腔室(29)的内部空间进行了减压的状态使密封片(S)接触于基板(10)的搭载有LED(11)的面，由此利用密封片(S)来覆盖LED(11)；以及第2密封过程，该第2密封过程是在第1密封过程之后，通过提高腔室(29)的内部空间的压力，从而利用密封片(S)来密封LED(11)。
器件密封方法装置半导体产品制造

[发明专利]器件密封方法、器件密封装置和半导体产品的制造方法-CN202110334553.0在审
发明人： 秋月伸也;山本雅之;长谷幸敏;村山聪洋 -专利权人：日东电工株式会社;日东精机株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供精度良好地密封器件且使密封过程中的工件和密封材料的处理变得容易的器件密封方法、器件密封装置和半导体产品的制造方法。该器件密封方法具备密封过程，在该密封过程中，对在基板(10)的搭载有LED(11)的LED搭载面附着密封片(S)而构成的密封件复合体(M)施加比大气压高的压力，从而利用密封片(S)来密封LED(11)。采用该结构，使用预先成为平坦的片状的密封片(S)来密封LED(11)。因而，能够提高在LED(11)的密封完成后的状态下密封了LED(11)的密封片(S)的平坦性。另外，由于能够对密封片(S)施加足够大的按压力(V1)，因此能够将密封片(S)可靠地填充到LED(11)彼此间的间隙中。
器件密封方法装置半导体产品制造

[发明专利]半导体装置的制法-CN201510903826.3有效
发明人：岩重朝仁;市川智昭;杉本直哉;襖田光昭;保手滨洋幸;秋月伸也 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：提供半导体装置的制法，其为不会降低成型性及固化性、高温高湿可靠性优异的半导体装置的制法，使用含下述(A)～(D)成分的半导体密封用环氧树脂组合物对半导体元件树脂密封，在树脂密封后施加加热处理工序，此加热处理在下述(x)所示条件下进行。(A)下述通式(1)所示的环氧树脂。上述式(1)中，X为单键、‑CH2‑、‑S‑或‑O‑，R1～R4为‑H或‑CH3且相互可相同也可不同，(B)酚醛树脂。(C)胺系固化促进剂。(D)无机质填充剂。(x)由热处理时间(t分钟)与热处理温度(T℃)的关系满足t≥3.3×10‑5exp(2871/T)的区域构成的热处理条件，其中，185℃≤热处理温度T℃≤300℃。
半导体装置热处理式( 1 )制法加热处理树脂密封环氧树脂胺系固化促进剂环氧树脂组合物无机质填充剂半导体密封半导体元件热处理条件酚醛树脂高温高湿关系满足成型性固化性单键施加

[发明专利]晶圆的加工方法及通过该晶圆的加工方法得到的晶圆-CN201310551934.X在审
发明人：杉村敏正;田中俊平;高桥智一;秋月伸也 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供晶圆的加工方法及通过该晶圆的加工方法得到的晶圆，该晶圆的加工方法在进行任意适当的加工工序前包括溶剂清洗工序，在该加工工序中，可适当地保持晶圆，并防止粘合片剥离后的残胶。本发明的晶圆的加工方法包括：粘合片粘贴工序，在具有包含辐射线固化型粘合剂的粘合剂层和基材的晶圆加工用粘合片上粘贴晶圆；辐射线照射工序，对该晶圆加工用粘合片的粘合剂层照射辐射线；清洗工序，用溶剂清洗该晶圆；以及加工工序，加工该晶圆。本发明的晶圆的加工方法中，在该清洗工序前进行该辐射线照射工序。
加工方法通过得到

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201310499119.3在审
发明人： 秋月伸也;福原淳仁;杉村敏正;高桥智一;水野浩二 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件的制造方法，其能够以优异的生产效率制造具有贯通导电路径的半导体元件。本发明的制造方法包括：[工序A]，准备半导体晶圆，所述半导体晶圆具有形成有多个半导体元件的有源面、在与该有源面相反侧的面上形成的规定的图案的导电层、以及连接该有源面和其相反侧的面的贯通导电路径；[工序B]，在该导电层上形成焊料凸块；以及[工序C]，切割该半导体晶圆，其中，该[工序A]包括在具有形成有多个半导体元件的有源面的半导体晶圆的该有源面侧贴附有保护带的状态下，对与该有源面相反侧的面进行磨削的步骤，从该磨削起至[工序C]的切割为止在贴附该保护带的状态下进行。
半导体元件制造方法

[发明专利]图像传感器的制造方法以及在该方法中使用的层叠型耐热性保护带-CN201310498801.0在审
发明人： 秋月伸也;福原淳仁;杉村敏正;高桥智一;东别府优树 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及图像传感器的制造方法以及在该方法中使用的层叠型耐热性保护带，所述制造方法可以实现优异的生产效率。本发明的制造方法包括：[工序A]，在玻璃板的一个面上贴附具备第1基材层和在其一个面上层叠的第1粘合剂层的耐热性保护带，使得该第1粘合剂层位于该玻璃板侧；[工序B]，将该玻璃板切割成规定的尺寸，得到贴附有该耐热性保护带的玻璃盖片；以及[工序C]，在收纳有固态摄像元件的封装体的光接收面上设置该玻璃盖片，使得贴附有该耐热性保护带的一侧的面成为外侧。
图像传感器制造方法以及使用层叠耐热性保护

[发明专利]LED 的制造方法-CN201310269366.4无效
发明人：高桥智一;秋月伸也;杉村敏正;松村健;宇圆田大介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括：在LED晶圆的基板的外侧形成反射层，所述LED晶圆包括所述基板和在所述基板的一面上的发光元件；以及在形成反射层之前，将耐热性压敏粘合片贴附到所述发光元件的外侧。
led 制造方法

[发明专利]LED的制造方法-CN201310268817.2无效
发明人：高桥智一;秋月伸也;杉村敏正;松村健;宇圆田大介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括背面研磨LED晶圆的基板，该LED晶圆包括发光元件和基板，其中背面研磨包括：经由双面压敏粘合片将LED晶圆固定到工作台，然后研磨基板。
led 制造方法

[发明专利]LED的制造方法-CN201310268247.7无效
发明人：高桥智一;秋月伸也;杉村敏正;松村健;宇圆田大介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括：背面研磨LED晶圆的基板，该LED晶圆包括发光元件和该基板；以及在背面研磨之前或者在背面研磨中研磨该基板之后，将保护片贴附到该LED晶圆。
led 制造方法

[发明专利]LED的制造方法-CN201310270481.3无效
发明人：高桥智一;秋月伸也;杉村敏正;松村健;宇圆田大介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括：背面研磨LED晶圆的基板，所述LED晶圆包括所述基板和形成在所述基板的一面上的发光元件；在所述背面研磨之后，在所述基板的外侧形成反射层；以及在所述LED晶圆的发光元件的外侧贴附耐热性压敏粘合片。
led 制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201310247086.3在审
发明人： 秋月伸也;杉村敏正;宇圆田大介;松村健 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供能够实现生产效率进一步提高的半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造方法，具有以下工序：将转印用基板和形成于功能层形成用基板上的功能层借助临时固定层进行贴合的工序；除去功能层形成用基板而使功能层露出的工序；在露出的功能层上贴合最终基板的工序；和将临时固定层和转印用基板从功能层分离的工序，其中，对于临时固定层而言，(A)在200℃保持1分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力为0.25kg/5×5mm以上，并且在大于200℃且500℃以下的温度区域中的任意温度下保持3分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力小于0.25kg/5×5mm；或者(B)在50℃的N-甲基-2-吡咯烷酮中浸渍60秒钟并且在150℃下干燥30分钟后的重量减少率为1.0重量％以上。
半导体元件制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201210543925.1无效
发明人：清水祐作;秋月伸也;小田高司;丰田英志;松村健 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供半导体芯片的污染少且生产效率高的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于，其是具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，该制造方法具备以下工序：工序A，准备半导体芯片；工序B，准备具有热固化型树脂层的树脂片；工序C，在热固化型树脂层上配置多个半导体芯片；和工序D，在多个半导体芯片上配置保护膜，并通过隔着配置的保护膜而施加的压力，将多个半导体芯片埋入热固化型树脂层；其中，保护膜对水的接触角为90°以下。
半导体装置制造方法

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