[发明专利]存储器装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110346064.3 申请日: 2011-11-04
公开(公告)号: CN103094201A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 陈士弘;施彦豪;吕函庭 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L27/115
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种存储器装置及其制造方法,其中一种供适合低成本、高良率制造的三维存储器装置用的垂直互连结构,供三维存储器阵列用的传导线,以及供用来将阵列耦接至译码电路等的垂直连接器用的接触焊垫,是被形成以作为相同图案化的材料阶层的部分。通过使用单一掩模的刻蚀工艺,可使用相同的材料层以形成接触焊垫与导电接达线。通过与传导线同时地形成接触焊垫,接触焊垫的图案化材料可保护下层的电路元件,否则其在传导线的图案化期间可能损坏。
搜索关键词: 存储器 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种存储器装置的制造方法,该方法包括:形成多个以绝缘材料隔开的导电条叠层,其中在该多个叠层中的各该导电条叠层的第一端是通过多个对应的垂直连接器而交互连接;形成一存储器层在该多个导电条叠层的表面上;形成一导电材料在该多个叠层上方以及在该多个垂直连接器的上表面;以及图案化该导电材料以形成多条传导线并形成多个接触焊垫,该多个传导线延伸横越过该多个叠层以及该多个垂直连接器的该多个上表面上的该多个接触焊垫,且该多个传导线具有多个依从该多个叠层以及该多个垂直连接器的该多个上表面上的该多个接触焊垫的表面,以使该存储器层中的多个存储器元件被定义在该多个导电条与该多个传导线的侧表面之间,藉以建立一种经由该多个传导线与该多个接触焊垫容易接达的3维阵列的存储器单元。
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