[发明专利]存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置的制造方法，该方法包括：

形成多个以绝缘材料隔开的导电条叠层，其中在该多个叠层中的各该导电条叠层的第一端是通过多个对应的垂直连接器而交互连接；

形成一存储器层在该多个导电条叠层的表面上；

形成一导电材料在该多个叠层上方以及在该多个垂直连接器的上表面；以及

图案化该导电材料以形成多条传导线并形成多个接触焊垫，该多个传导线延伸横越过该多个叠层以及该多个垂直连接器的该多个上表面上的该多个接触焊垫，且该多个传导线具有多个依从该多个叠层以及该多个垂直连接器的该多个上表面上的该多个接触焊垫的表面，以使该存储器层中的多个存储器元件被定义在该多个导电条与该多个传导线的侧表面之间，藉以建立一种经由该多个传导线与该多个接触焊垫容易接达的3维阵列的存储器单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

形成该存储器层的步骤包括：形成该存储器层在该多个叠层的上绝缘材料层的上表面上以及在该多个垂直连接器的上表面与露出的侧壁上；以及

形成并图案化该导电材料的步骤包括：

形成一第一导电材料层在该多个叠层中的邻近叠层之间；

移除该存储器层的部分，以露出该多个垂直连接器的该多个上表面与该多个叠层的上表面；

沉积一第二导电材料层在该第一导电材料的多个残留部分、该多个垂直连接器的该多个露出的上表面与该多个叠层的该多个上表面；以及

图案化该第一与第二导电材料层以形成该多个传导线与该多个接触焊垫。

3.根据权利要求2所述的方法，其中该第一导电材料层不同于该第二导电材料层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

形成该多个导电条叠层的步骤是露出该多个垂直连接器的侧壁；

形成该存储器层的步骤包括形成该存储器层在该多个垂直连接器的该多个露出的侧壁上；以及

图案化该导电材料的步骤是建立多个存储器层侧壁隔板在该多个垂直连接器的该多个侧壁上并与该多个接触焊垫的下表面接触，该多个侧壁隔板是使该多个接触焊垫之下的残留导电材料与该多个垂直连接器分离。

5.根据权利要求1所述的方法，更包括：

形成一介电填补材料覆盖于该多个传导线与该多个接触焊垫上；

形成多个接触开口部在该介电填补材料之内，用以露出对应的该多个接触焊垫的接触面；以及

以该导电材料填补该多个接触开口部以形成对应的多个导电接触部。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成该多个叠层的步骤包括形成多个导电延伸在该多个导电条的多个阶层中，各该导电延伸互连在各特定的该多个阶层之内的该多个导电条的第二端，并更包括形成多个第二垂直连接器，其接触各特定的该多个阶层的对应的该导电延伸并延伸通过多个在覆盖的该多个阶层中的开口部。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

形成该导电材料的步骤包括形成该导电材料在该多个第二垂直连接器的上表面上；以及

图案化该导电材料的步骤更进一步形成多个第二接触焊垫在该多个第二垂直连接器的上表面上。

8.根据权利要求7所述的方法，更包括：

形成一介电填补材料覆盖于该多个传导线、该多个接触焊垫以及该多个第二接触焊垫上；

形成多个接触开口部在该介电填补材料之内的、用以露出对应的该多个接触焊垫以及对应的该多个第二接触焊垫的接触面；以及

以该导电材料填补该多个接触开口部以形成对应的多个导电接触部。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成该叠层的该多个导电条的步骤包括形成一第一组叠层及形成一第二组叠层，该第一与第二组以一种交替方式配置，以使在该第一组中的邻近的该多个叠层是被该第二组中的单一的该叠层隔开，且使在该第二组中的邻近的该多个叠层是被该第一组中的单一的该叠层隔开，且该第一组的该多个叠层中的该多个导电条的该多个第一端是位于该第二组中的该多个导电条的该多个第一端的对面。

10.根据权利要求1所述的方法，其中该存储器层包括一反熔丝材料层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中该存储器层包括一多层电荷储存结构。