[发明专利]高压结型场效应管的结构及制造方法

摘要

本发明公开了一种高压结型场效应管的结构及制造方法，具第一导电类型的硅衬底上形成具有第二导电类型的阱区，阱区内具有漂移区和体区，漂移区耐高压，体区是结型场效应管的沟道区；漂移区内形成具第一导电类型的反型层，反型层一端上有隔离结构，沟道区外侧形成具第一导电类型的栅极区，漂移区形成漏极引出端，沟道区形成源极引出端，栅极区形成栅极引出端，衬底区形成衬底引出端，漏极引出端和源极引出端为第二导电类型，栅极引出端和衬底引出端为第一导电类型；沟道区先采用光刻形成至少两条支路沟道，再通过离子注入及推进连接多条支路形成一个沟道。本发明使沟道的有效杂质浓度降低，沟道更易耗尽，夹断电压降低，可得到不同夹断电压的器件。

主权项

一种高压结型场效应管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第1步，在衬底上采用光刻形成漏极漂移区和至少两条支路沟道，通过离子注入及推进将多条支路物理性连接形成一个沟道，所述衬底具有第一导电类型，漏极漂移区和沟道区具有与第一导电类型相反的第二导电类型；第2步，在衬底上采用光刻和离子注入形成栅极区，栅极区具有第一导电类型；第3步，在硅片表面形成多个隔离结构；第4步，在漏极漂移区采用光刻和离子注入形成漂移区反型层，所述漂移区反型层具有第一导电类型；第5步，在漏极漂移区和沟道区分别进行第二导电类型的离子注入，形成漏极引出端和源极引出端；在栅极区和衬底区分别进行第一导电类型的离子注入，形成栅极引出端和衬底引出端；第6步，淀积介电层并刻蚀形成接触孔，在接触孔中填充源极金属电极、栅极金属电极、漏极金属电极和衬底极金属电极。