[发明专利]沟槽刻蚀方法以及半导体器件无效
| 申请号： | 201110342080.5 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102361007A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 沈思杰;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了沟槽刻蚀方法以及半导体器件。根据本发明的沟槽刻蚀方法依次包括步骤：利用硬掩膜刻蚀沟槽刻蚀；氧化以形成牺牲氧化层；以及去除刻蚀沟槽所用的硬掩膜以及牺牲氧化层；在去除刻蚀沟槽所用的硬掩膜以及牺牲氧化层的步骤之后进行栅极氧化以形成栅极氧化层。根据本发明的沟槽刻蚀方法能够使得沟槽的顶部角部变得圆化。进一步的，由于沟槽的顶部和底部形状优劣会决定氧化物生长的厚度，所以本发明实施例能够改善栅极氧化厚的质量，即使得栅极氧化层厚度均匀。此外，根据本发明实施例的沟槽刻蚀方法还能够有助于多晶硅填充。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 刻蚀 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种沟槽刻蚀方法，其特征在于依次包括步骤：利用硬掩膜刻蚀沟槽刻蚀；氧化以形成牺牲氧化层；以及去除刻蚀沟槽所用的硬掩膜以及牺牲氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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