[发明专利]沟槽刻蚀方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种沟槽刻蚀方法，其特征在于依次包括步骤：利用硬掩膜刻蚀沟槽刻蚀； 氧化以形成牺牲氧化层；以及去除刻蚀沟槽所用的硬掩膜以及牺牲氧化层。

2.根据权利要求1所述的沟槽刻蚀方法，其特征在于，在氧化以形成牺牲氧化 层的步骤中，通过高温炉管，干法生长牺牲氧化层。

3.根据权利要求1或2所述的沟槽刻蚀方法，其特征在于还包括：在去除刻蚀 沟槽所用的硬掩膜以及牺牲氧化层的步骤之后进行栅极氧化以形成栅极氧化 层。

4.一种半导体器件，所述半导体器件具有沟槽，其特征在于所述沟槽是采用根 据权利要求1至3之一所述的沟槽刻蚀方法制成的。