[发明专利]高压肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明实施例公开了一种高压肖特基二极管及其制作方法，该二极管包括：P型衬底及其表面内的两个N型埋层，第一N型埋层位于阴极引出区的下方，第二N型埋层位于阴极区的下方；外延层；位于外延层表面内的两个N型阱区，第一N型阱区为该肖特基二极管的横向漂移区，且其表面内具有一阴极引出区，第二N型阱区位于第二N型埋层表面上，为该肖特基二极管的阴极区；位于第二N型埋层表面上，且包围所述阴极区的第一P型阱区；位于横向漂移区表面上的场氧隔离区；位于阴极区表面上的阳极，位于阴极引出区表面上的阴极。该肖特基二极管能够承受高压，可用作自举二极管，其制作过程与CMOS工艺兼容，从而可将该肖特基二极管集成在高压集成电路中。

主权项

一种高压肖特基二极管，其特征在于，包括：基底，所述基底包括一P型衬底以及位于所述P型衬底表面内的两个N型埋层，其中，第一N型埋层位于该肖特基二极管的阴极引出区的下方，第二N型埋层位于该肖特基二极管阴极区的下方；位于所述P型衬底表面上的外延层；位于所述外延层表面内的两个N型阱区，其中第一N型阱区表面内具有一阴极引出区，该第一N型阱区为该肖特基二极管的横向漂移区，可承受高压，第二N型阱区位于所述第二N型埋层表面上，该第二N型阱区为该肖特基二极管的阴极区；位于所述第二N型埋层表面上，且包围所述阴极区的第一P型阱区，以保护该肖特基二极管的边缘，减少漏电，提高耐压；位于所述横向漂移区表面上的场氧隔离区，以隔离该肖特基二极管的阳极和阴极；位于所述阴极区表面上的金属层，作为该肖特基二极管的阳极，位于所述阴极引出区表面上的金属层，以引出该肖特基二极管的阴极。