[发明专利]薄膜覆晶型半导体封装有效
| 申请号： | 201110334588.0 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102760704A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 金都永 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 薛义丹;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜覆晶型半导体封装，这种半导体封装可以得到驱动集成电路芯片的高散热效果且可防止引线断裂，且本发明的薄膜覆晶型半导体封装包括：膜；多个引线，形成于所述膜上的；芯片，粘贴于所述多个引线上的末端上；底部填充胶层，充填所述芯片与多个引线之间的空间；石墨类散热层，粘贴于所述膜的下部面上。所述石墨类散热层的厚度可形成为140μm以下的超薄型。同时，所述散热层由于使用了石墨，因而柔韧性和张力较优异，因此可广泛地应用于柔韧性的产品群中。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 覆晶型 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种薄膜覆晶型半导体封装，其特征在于，包括：膜；多个引线，形成于所述膜的一侧面部；芯片，粘贴于所述多个引线上的末端上；底部填充胶层，充填所述芯片与多个引线之间的空间；以及散热层，粘贴于所述膜的另一面部，其中，所述散热层包括：石墨材料层；保护层，形成于石墨材料层的一侧面，以防止所述石墨材料层暴露到外部；以及粘结层，以用于将散热层粘贴到所述膜的另一面部。
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