[发明专利]测量超级结深沟槽内硅外延电阻率横向分布的方法无效
| 申请号： | 201110332534.0 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103091555A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量超级结深沟槽内硅外延电阻率横向分布的方法，包括步骤：1)在所述沟槽内分层填充外延，且每填充一层外延，测定一次已填充外延的电阻值，直到沟槽被完全填满；2)根据步骤1)测得的电阻值，分别计算各外延层的电阻值和电阻率。本发明通过在深沟槽内分步填充硅外延，同时分步测量已填充外延的电阻值，实现了SJ深沟槽内硅外延电阻率分布的有效测定，从而确保了SJ产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 超级 深沟 槽内硅 外延 电阻率 横向 分布 方法 | ||
【主权项】：
测量超级结深沟槽内硅外延电阻率横向分布的方法，其特征在于，包括步骤：1)在所述沟槽内分层填充外延，且每填充一层外延，测定一次已填充外延的电阻值，直到沟槽被完全填满；2)根据步骤1)测得的电阻值，分别计算各外延层的电阻值和电阻率。
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