[发明专利]测量超级结深沟槽内硅外延电阻率横向分布的方法无效
| 申请号： | 201110332534.0 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103091555A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测量 超级 深沟 槽内硅 外延 电阻率 横向 分布 方法 | ||
【权利要求书】：
1.测量超级结深沟槽内硅外延电阻率横向分布的方法，其特征在于，包括步骤：
1)在所述沟槽内分层填充外延，且每填充一层外延，测定一次已填充外延的电阻值，直到沟槽被完全填满；
2)根据步骤1)测得的电阻值，分别计算各外延层的电阻值和电阻率。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的宽度为1～8μm，深度为10～50μm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中，采用开尔文结构法测定所述电阻值。
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