[发明专利]一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法有效

专利信息
申请号: 201110330736.1 申请日: 2011-10-27
公开(公告)号: CN102368519A 公开(公告)日: 2012-03-07
发明(设计)人: 吴克敏;魏世祯;董彬忠;王江波 申请(专利权)人: 华灿光电股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 江西省专利事务所 36100 代理人: 胡里程
地址: 430223 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法,发光二极管外延片结构中多量子阱的生长方式采用了一种新颖的渐变生长方法:多量子阱结构中前几个周期InGaN组份是逐渐增加的,这样可以缓解由GaN突然转到高铟组份InGaN生长过程中产生的应力,从而减小极化效应,提高量子阱的晶体质量,增加复合几率。并且,前几个周期中势垒层的厚度是逐渐减小的,厚度较大的垒层可以降低电子的速度,减小电子的穿越几率,厚度较小的可以提高空穴的穿越几率,使得电子和空穴的分布比较均匀,防止在大电流注入下效率下降的问题,从而提高多量子阱发光效率。
搜索关键词: 一种 提高 半导体 二极管 多量 发光 效率 方法
【主权项】:
一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法,该发光二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底(1),低温缓冲层(2),高温缓冲层(3),N型层(4),N型层(5),N型层(6),N型层(7),多量子阱结构MQW(8),发光层多量子阱结构MQW(9),P型层(10),P型层(11),P型层(12);其特征在于:多量子阱结构MQW(8)中阱区铟组份是逐渐增加的,厚度不变,并且垒区的厚度是逐渐减小的,周期数选择从2到10;发光层量子阱结构MQW (9)中阱区铟的组份,以及阱区和垒区的厚度是不变的,周期数选择从3到10。
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