[发明专利]一种新型的磁隧穿结器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110317543.2 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103066198A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 季明华;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型的磁隧穿结器件及其制造方法。本发明可以使用大马士革工艺来制造MTJ，避免了蚀刻工艺带来的对器件的损伤和由此付出的昂贵的代价。在一些实施例中，在MTJ的第一部分和第二部分的一部分之间设置间隔物，由此防止了MTJ的隧穿绝缘层在随后的工艺中受到损伤，由此大幅度提高了成品的良率。在另外一些实施例中，本发明还通过改进MTJ的杯形结构来提高信号质量和减小磁力线泄露。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 磁隧穿结 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁隧穿结器件，包括具有多层结构的磁隧穿结，其特征在于：所述磁隧穿结具有多层结构的第一部分，位于所述第一部分上的多层结构的第二部分，以及位于所述第一部分的一部分和第二部分的一部分之间的间隔物。
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