[发明专利]使用非结合式半导体靶来溅射的方法有效
| 申请号： | 201110309742.9 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102418074A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | R·W·布莱克;R·D·戈斯曼;P·L·奥基夫;S·D·费尔德曼-皮博迪 | 申请（专利权）人： | 初星太阳能公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李强;杨炯 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及使用非结合式半导体靶来溅射的方法。大体提供了一种溅射阴极(10)。溅射阴极(10)可包括半导体靶(12)(例如硫化镉靶、镉锡氧化物靶等)，半导体靶(12)限定了溅射表面(14)和与溅射表面(14)相反的背表面(16)。背板(18)可定位成面向靶(12)的背表面(16)而不结合到靶(12)的背表面(16)上。非结合式附连机构能够可拆装地将靶(12)保持在溅射阴极(10)内，使得背表面(16)在溅射期间面向背板(18)。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 结合 半导体 溅射 方法 | ||
【主权项】：
一种使非结合式半导体靶(12)发生溅射的方法，所述方法包括：可拆装地将半导体靶(12)插入溅射阴极(10)中而暴露所述半导体靶(12)的溅射表面(14)，其中，所述溅射阴极(10)包括背板(18)，使得所述半导体靶(12)定位成邻近背板(18)而不结合到其上；通过定位在所述溅射阴极(10)内的加热元件(17)来将所述半导体靶(12)加热至溅射温度；以及，使半导体靶(12)的所述溅射表面与等离子体接触，使得从所述半导体靶(12)的所述溅射表面(14)喷出原子。
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