[发明专利]非易失性半导体存储器设备

摘要

非易失性半导体存储器设备。非易失性半导体存储器设备包括用于存储用户数据的存储器单元阵列，其通过布置存储器单元提供，每个存储器单元具有可变电阻元件，该可变电阻元件具有第一电极2、第二电极3以及夹置在第一电极和第二电极之间由金属氧化物制成的可变电阻器4。第一和第二电极分别由与该可变电阻器4形成欧姆结的导电材料和与该可变电阻器4形成非欧姆结的导电材料形成。可变电阻器通过在电极之间施加电压在两个或更多不同电阻状态之间变化。变化之后的电阻状态以非易失性方式维持。在存储器单元阵列用于存储用户数据之前的未使用状态，存储器单元阵列中的所有存储器单元的可变电阻元件被设置为两个或更多不同电阻状态的最高电阻状态。

主权项

一种非易失性半导体存储器设备，包括：用于存储用户数据的存储器单元阵列，通过布置多个存储器单元提供，每个存储器单元设置有可变电阻元件，该可变电阻元件包括第一电极、第二电极以及由金属氧化物制成且夹置在第一电极和第二电极之间的可变电阻器，其中该金属氧化物在初始状态是绝缘体，该可变电阻元件的电阻通过成形工艺减小，在成形工艺之后通过在第一和第二电极之间施加电压，该可变电阻元件的电阻状态在两个或更多不同电阻状态之间变化，变化之后的电阻状态以非易失性方式维持，并且在存储器单元阵列用于存储用户数据之前的未使用状态，存储器单元阵列中的所有存储器单元的可变电阻元件被设置为两个或更多不同电阻状态的最高电阻状态。