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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于高阶拓扑结构的可读写光存储器-CN202310157210.0在审
  • 龚平;方云团 - 江苏大学
  • 2023-02-23 - 2023-06-23 - G11C13/06
  • 本发明提供了一种基于高阶拓扑结构的可读写光存储器，属于全光通信技术领域。本发明通过pc的L形边界配置来实现光存储器的读写功能。由于角的配置与边界相连，进而可以通过施加外加偏置磁场使角态过渡到边界态。最终利用角态实现光信号的存储、利用角态到边界态的转换实现光信号的导出或读取。通过上述设计，实现了一种可读写的光存储器。本发明所设计的光存储器，能够解决当前已有的光存储器件存储时间短、存储读取过程复杂的问题。
  • 一种基于拓扑结构读写存储器
  • [发明专利]存储元件和存储器装置-CN201210023215.6无效
  • 内田裕行;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山彻哉;山根一阳 - 索尼公司
  • 2012-01-20 - 2012-08-08 - G11C13/06
  • 本发明涉及存储元件和存储器装置。一种存储元件，包括：存储层，其具有垂直于膜表面的磁化，并且所述存储层的磁化的方向根据信息而变化；磁化固定层，其具有垂直于膜表面的磁化，用作为存储在所述存储层中的所述信息的基准；以及绝缘层，由非磁性体形成并布置在所述存储层和所述磁化固定层之间。所述磁化固定层具有其中非磁性层夹持在具有磁性反平行连接的层叠铁销结构的上下铁磁性层之间的结构。通过沿着包括所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层的层结构的层叠方向注入自旋极化电子来改变所述存储层的磁化的方向，并且在所述存储层上执行信息的记录。
  • 存储元件存储器装置
  • [发明专利]磁光记录介质-CN91109432.6无效
  • 饭寄英保;高山新司 - 国际商业机器公司
  • 1991-09-29 - 1993-11-24 - G11C13/06
  • 具有三层结构和高记录密度的磁光记录介质，具有在短波长下高的克尔转角。将短波长下具有高克尔转角、但具有平面各向异性的膜夹入在高垂直各向异性的(Tb，Dy)-(Fe，Co)非晶态膜之间，激光束由此入射的第一层应充分薄以保证光束透射，但又应有足以产生与第二层之间强的交换耦合作用的厚度。第二层应足够薄以接受来自两侧的强的交换耦合作用，但又应有足以产生高克尔转角的厚度。第三层应厚到足以产生与第二层之间强的交换耦合作用。
  • 记录介质
  •  1 
  • 共 4 条
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