[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201110283660.1 | 申请日： | 2002-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102419961A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 浅见宗广;长尾祥;棚田好文 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/36 | 分类号： | G09G3/36;H03K19/017 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，仅仅用一种导电类型的TFT构成一个电路，从而减少制造步骤，并且能正常获得一个输出信号的电压振幅。在连接到输出节点的一个TFT(203)的栅极和源极之间形成一个电容(205)，并且由TFT(201)和(202)构成的电路具有使节点α进入浮动状态的功能。当节点α处在浮动状态时，通过电容(205)使节点α的电位高于采用TFT(203)的栅极-源极电容耦合获得的VDD，这样就能获得振幅为VDD-GND的输出信号，不会因TFT的门限值造成振幅衰减。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种有源矩阵液晶显示器件，包括：包含象素薄膜晶体管的象素；以及电连接到所述象素薄膜晶体管的栅极的驱动电路，所述驱动电路包括：第一薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管的栅极电连接到所述第一薄膜晶体管的源极和漏极中之一；第二薄膜晶体管，其中，所述第二薄膜晶体管的源极和漏极中之一电连接到所述第一薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个；第三薄膜晶体管，其中，所述第三薄膜晶体管的栅极电连接到所述第一薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个，以及所述第三薄膜晶体管的源极和漏极中之一电连接到所述第一薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中所述之一；和第四薄膜晶体管，其中，所述第四薄膜晶体管的栅极电连接到所述第二薄膜晶体管的栅极，所述第四薄膜晶体管的源极和漏极中之一电连接到所述第三薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个，以及所述第四薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第二薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个，其中，所述象素薄膜晶体管和所述第一到第四薄膜晶体管具有N‑沟道型，以及其中，在玻璃衬底上形成所述象素薄膜晶体管和所述第一到第四薄膜晶体管。
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