[发明专利]集成电路结构无效
| 申请号： | 201110276642.0 | 申请日： | 2011-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102694015A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 法西·安托诺夫;维华纳斯·铢;诺埃尔·洛克林;克里斯·卡尔森 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/423;H01L27/108 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;吕俊清 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路结构，其一实施例包含一半导体基板；一下介电层，设置于该半导体基板上；至少二层上介电层，设置于该下介电层上，其中该至少二层上介电层的一层为氧化铝层，另一层为氧化硅层；以及一导电层，设置于该至少二层上介电层上。本发明的集成电路结构的另一实施例，包含一下电极；一下介电层，设置于该下电极上；至少二层上介电层，设置于该下介电层上，其中该至少二层上介电层的一层为氧化铝层，另一层为氧化硅层；以及一上电极，设置于该至少二层上介电层上。本发明的电容值及介电漏电流等效能指标满足了存储器的发展要求。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包含：一半导体基板(11)；一下介电层(13)，设置于该半导体基板上；至少二层上介电层(15、17或25、27)，设置于该下介电层上，其中该至少二层上介电层的一层为氧化铝层，另一层为氧化硅层；以及一导电层(19)，设置于该至少二层上介电层上。
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