[发明专利]一种金属互连层制作方法

摘要

本发明提供了一种金属互连层制作方法，该方法在形成沟槽的第二low-k ILD下方加入高介电系数ILD，利用高介电系数ILD的晶格结构较为紧密，密度和硬度都大于low-k ILD的性质，在避免增加第一low-k ILD高度并造成EM failure问题的前提下，改善了由于刻蚀和PVD过程在沟槽底部low-k ILD损伤和微型凹陷的问题。

主权项

一种金属互连层制作方法，应用于采用低介电系数层间介质的金属互连层，提供具有的金属互连层的晶片，其特征在于，该方法还包括：所述金属互连层上依次沉积由第一低介电系数层间介质、高介电系数层间介质和第二低介电系数层间介质组成的层间介质，所述高介电系数层间介质的介电系数大于第一和第二低介电系数层间介质；第一刻蚀所述第二低介电系数层间介质、高介电系数层间介质和第一低介电系数层间介质形成通孔；第二刻蚀所述第二低介电系数层间介质，以所述高介电系数层间介质为刻蚀停止层，在所述第二低介电系数层间介质中形成沟槽；在所述沟槽和通孔中沉积扩散阻挡层和铜籽晶层后，填充生长金属铜；化学机械研磨所述金属铜、扩散阻挡层和铜籽晶直到露出所述第二低介电系数介质层表面。