[发明专利]半导体平坦化中降低非均匀性有效
| 申请号： | 201110271864.3 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102412140A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 陈能国;许俊豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种平坦化半导体器件的方法。所述方法包括提供基板。所述方法包括在所述基板上形成第一层。所述方法包括在所述第一层上形成第二层。所述第一和第二层具有不同的材料组分。所述方法包括在所述第二层上形成第三层。所述方法包括在所述第三层上实施抛光工艺直到基本除去所述第三层。所述方法包括实施回蚀刻工艺以除去所述第二层和所述第一层的一部分。其中关于所述第一和第二层的回蚀刻工艺的蚀刻选择性大约为1∶1。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 平坦 降低 均匀 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供基板；在所述基板上方形成第一层；在所述第一层上方形成第二层，所述第一和第二层具有不同的材料组分；在所述第二层上方形成第三层；对所述第三层实施抛光工艺直到所述第三层基本除去；以及实施回蚀刻工艺以除去所述第二层和所述第一层的一部分，其中关于所述第一层和第二层的所述回蚀刻工艺的蚀刻选择性大约为1∶1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
