[发明专利]牺牲发光面积在LED芯片上制造ESD保护电路的方法无效
| 申请号： | 201110271709.1 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102324451A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘波波;王旭明;李培咸;白俊春;王晓波;孟锡俊;郭迟 | 申请（专利权）人： | 西安中为光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/77;H01J37/32 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 弋才富 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 牺牲发光面积在LED芯片上制造ESD保护电路的方法，首先在单个芯片上隔离出ESD保护电路所占的外延片部分，然后使用平面工艺刻蚀掉该隔离出的外延片n GaN层以上部分，最后将芯片上主发光区的P++GaN电极和保护区的n++GaN电极相连接，将芯片上主发光区的n++GaN电极和保护区的P++GaN电极相连接；该方法在不改变外延层结构的基础上牺牲一小部分发光区面积，制造出ESD保护电路，具有微操作性好且不会造成LED芯片局部损坏的优点，制造出的该种ESD保护电路具有较高的工艺兼容性，可以适用于大多数外延层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲 发光 面积 led 芯片 制造 esd 保护 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种牺牲发光面积在LED芯片上制造ESD保护电路的方法，其特征在于：首先在单个芯片上隔离出ESD保护电路所占的外延片部分，然后使用平面工艺刻蚀掉该隔离出的外延片n GaN层以上部分，最后将芯片上主发光区的P++GaN电极和保护区的n++GaN电极相连接，将芯片上主发光区的n++GaN电极和保护区的P++GaN电极相连接。
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