[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201110265635.0 | 申请日: | 2011-09-08 |
公开(公告)号: | CN102403204A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 广沢俊一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/301 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种晶片的加工方法,能够将在外周留有环状的加强部而中央部分被磨削得很薄的晶片分割为一个个的器件而无损切割加工时的处理性。晶片(1)的表面构成为由分割预定线L将器件划分开的器件区域(10)被外周剩余区域围绕,在将该晶片分割为一个个的器件的情况下,磨削器件区域的背侧,在其外周侧形成环状加强部(13),在晶片的背面粘贴切割带(4),从表面侧照射激光束(61a)以分割成器件,并且在环状加强部(13)形成分解起点,扩张切割带(4),使环状加强部以分解起点为起点分解从而从器件区域分离,并且使相邻的器件之间的间隔扩宽。在将晶片分割为一个个的器件时仍存在环状加强部,因此无损分割加工时的处理性。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,该晶片的加工方法是将晶片分割为一个个的器件的晶片的加工方法,所述晶片在表面具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域,在所述器件区域中,多个器件被分割预定线划分开来,该晶片的加工方法的特征在于包括以下的工序:晶片磨削工序,在该晶片磨削工序中,磨削晶片的与器件区域对应的背面以磨削至预定的厚度,并且在与外周剩余区域对应的背面形成环状的加强部;晶片支承工序,在该晶片支承工序中,在所述晶片的背面粘贴切割带,并且将该切割带的外周部粘贴到具有收纳晶片的开口部的切割框架,从而由该切割框架支承所述晶片;晶片保持工序,在该晶片保持工序中,将由所述切割框架支承的晶片保持于卡盘工作台,所述卡盘工作台具有:吸引保持所述晶片的与器件区域对应的背面的器件区域保持部;和支承所述环状的加强部的环状加强部支承部;烧蚀加工工序,在该烧蚀加工工序中,从所述晶片的表面侧沿分割预定线照射激光束来实施烧蚀加工,从而将所述晶片分割为一个个的器件,并且在所述环状的加强部形成分解起点;扩张工序,在该扩张工序中,通过扩张所述切割带,来以所述分解起点为起点将所述环状的加强部分解并从所述器件区域分离,并且使相邻的器件之间的间隔扩宽;以及拾取工序,在该拾取工序中,从所述切割带拾取一个个的器件。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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