[发明专利]封装结构无效

专利信息
申请号: 201110256619.5 申请日: 2011-09-01
公开(公告)号: CN102969290A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 陈国强;容绍泉;刘振兴;陈宴毅 申请(专利权)人: 富晶电子股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/488;H01L23/31;H01L25/00
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 项荣;姚垚
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种封装结构包括第一导线架、第二导线架、电源引脚、接地引脚、第一引脚、多个第一导线、多个第二导线与封装体;第一导线架用以电性耦接第一功率晶体管以及第二功率晶体管的漏极;接地引脚电性耦接至第一导线架;第一引脚通过用以提升第一引脚所能负载的电流的导电区域连接第一导线架;多个第一导线用以电性耦接于第一导线架与第二功率晶体管的源极之间,借助于此减少第二功率晶体管的内阻值;多个第二导线用以电性耦接于接地引脚与第一功率晶体管的源极之间,借助于此减少第一功率晶体管的内阻值。
搜索关键词: 封装 结构
【主权项】:
一种封装结构,其特征在于,包括;一第一导线架,用以置放一集成电路;一第二导线架,用以置放一第一功率晶体管及一第二功率晶体管,且用以电性耦接该第一功率晶体管以及该第二功率晶体管的漏极;一电源引脚,用以电性耦接至该集成电路;一接地引脚,电性耦接至该第一导线架;一第一引脚,连接该第一导线架,其中该第一引脚与该第一导线架的连接处有一导电区域,该导电区域用以提升该第一引脚所能负载的电流;多个第一导线,用以电性耦接于该第一导线架与该第二功率晶体管的源极之间,且用以减少该第二功率晶体管的内阻值;多个第二导线,用以电性耦接于该接地引脚与该第一功率晶体管的源极之间,且用以减少该第一功率晶体管的内阻值以及;一封装体,用以覆盖该第一导线架、该第二导线架、所述的这些第一导线、所述的这些第二导线、该集成电路、该第一功率晶体管以及该第二功率晶体管,且部分覆盖该电源引脚、该接地引脚以及该第一引脚。
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