[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110254023.1 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094358A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张兴来;李春霞;陈朝伟;曾爱平;陈宇 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件，特别涉及一种新型沟槽肖特基整流管，包括，第一半导体层，设于第一半导体层之下的第一金属电极，设于第一半导体层中相互隔开的第一沟槽和第二沟槽，位于沟槽中的隔离层，设于第一半导体层之上位于第一沟槽和第二沟槽之间势垒金属层，设于第一半导体层之上势垒金属层之外的氧化层，以及设于第一半导体层之上第二金属电极，所述的沟槽深度为2um至7um；本发明通过沟槽设置提高肖特基二极管的反向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，其特征在于，包括，第一半导体层，设于第一半导体层之下的第一金属电极，设于第一半导体层中相互隔开的第一沟槽和第二沟槽，位于沟槽中的绝缘层和绝缘层上的填充层，设于第一半导体层之上位于第一沟槽和第二沟槽之间势垒金属层，设于第一半导体层之上势垒金属层之外的氧化层，以及设于第一半导体层之上第二金属电极，所述的沟槽深度为2um至7um。
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