[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：首先提供基底，且基底上已形成有具有第一开口与第二开口的介电层。第一开口与第二开口是暴露出部分的基底，而第一开口两侧的基底中已分别形成有第一掺杂区，第二开口两侧的基底中则分别形成有第二掺杂区。而且，第一开口与第二开口底部已覆盖有栅极介电层。栅极介电层包括依序形成在基底上的高介电常数材料层与阻障层。接着，在第二开口内的栅极介电层上形成牺牲层，然后再形成第一功函数金属层覆盖第一开口内的栅极介电层以及第二开口内的牺牲层。之后，移除第二开口内的第一功函数金属层与牺牲层。

主权项

一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，其中该基底上已形成有介电层，该介电层具有第一开口与第二开口，该第一开口与该第二开口暴露出部分的该基底，而该第一开口两侧的基底中分别形成有第一掺杂区，该第二开口两侧的基底中分别形成有第二掺杂区，且该第一开口与该第二开口的底部覆盖有栅极介电层，该栅极介电层包括高介电常数材料层以及阻障层，其中该高介电常数材料层形成于该阻障层上；于该第二开口内的该栅极介电层上形成牺牲层；于该第一开口内的该栅极介电层以及该第二开口内的该牺牲层上形成第一功函数金属层；以及移除该第二开口内的该第一功函数金属层与该牺牲层。