[发明专利]半导体的制造方法

摘要

一种半导体的制造方法。于一蚀刻机台中提供一基底，基底上形成有多个第一导体图案、一阻障层以及一图案化绝缘层，其中第一导体图案之间具有多个第一开口，阻障层覆盖第一导体图案的表面与第一开口的表面，图案化绝缘层形成于第一导体图案上且具有多个第二开口，第二开口暴露出位于第一导体图案的顶角上的阻障层，且各第二开口与对应的第一开口连通。于阻障层上沉积一聚合物层，其中位于第一导体图案的顶角上的聚合物层厚度大于位于第一开口的底部上的聚合物层厚度。进行一蚀刻工艺，以移除位于第一开口的底部上的聚合物层与阻障层。

主权项

一种半导体的制造方法，其特征在于包括：于蚀刻机台中提供基底，所述基底上形成有多个第一导体图案、阻障层以及图案化绝缘层，其中所述些第一导体图案之间具有多个第一开口，所述阻障层覆盖所述些第一导体图案的表面与所述些第一开口的表面，所述图案化绝缘层形成于所述些第一导体图案上且具有多个第二开口，所述些第二开口暴露出位于所述些第一导体图案的顶角上的所述阻障层，且各所述第二开口与对应的第一开口连通；于所述阻障层上沉积第一聚合物层与第二聚合物层，其中所述第一聚合物层位于所述些第一导体图案的顶角上，所述第二聚合物层位于所述些第一开口的底部上，且所述第一聚合物层的厚度大于所述第二聚合物层的厚度；以及进行蚀刻工艺，以移除位于所述些第一开口的底部上的所述第二聚合物层与所述阻障层。