[发明专利]带有嵌入式伪栅电极的二极管有效
| 申请号： | 201110238114.6 | 申请日： | 2011-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN102738245A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 余名薪;阎桂凤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/40;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电路结构包括第一隔离区域以及第一伪栅电极，该第一伪栅电极在第一隔离区域上并且与其垂直重叠。二极管的第一拾取区域形成在第一隔离区域的相对面上，其中，第一拾取区域的侧壁与第一隔离区域的相对侧壁接触。二极管的第二拾取区域形成在第一拾取区域和第一隔离区域的结合区域的相对面上，其中，第一拾取区域和第二拾取区域是相反的导电类型。阱区域在第一拾取区域和第二拾取区域以及第一隔离区域下面，其中，阱区域的导电类型与第二拾取区域的相同。本发明还提供了一种带有嵌入式伪栅电极的二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 嵌入式 电极 二极管 | ||
【主权项】：
一种电路结构包括：第一隔离区域；第一伪栅电极，所述第一伪栅电极在所述第一隔离区域上并且垂直地与所述第一隔离区域重叠；二极管的第一拾取区域，所述第一拾取区域在所述第一隔离区域的相对面上，其中所述第一拾取区域的侧壁与所述第一隔离区域的相对侧壁接触；二极管的第二拾取区域，所述第二拾取区域在所述第一拾取区域和所述第一隔离区域的结合区域的相对面上，其中所述第一拾取区域和第二拾取区域是相反的导电类型；以及阱区域，所述阱区域在所述第一拾取区域和所述第二拾取区域以及所述第一隔离区域下面，其中所述阱区域的导电类型与所述第二拾取区域的导电类型相同。
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