[发明专利]覆晶式半导体全波整流元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110235631.8 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102956512A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 黄文彬;吴文湖 | 申请（专利权）人： | 美丽微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/58;H01L25/11 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种覆晶式半导体全波整流元件及其制造方法，该覆晶式半导体全波整流元件至少包含一颗PNNP型及/或NPPN型覆晶(Flip-Chip)、以及一片包含多根接脚的料片或基板，其特征在于：该PNNP型及/或NPPN型覆晶的全部焊点(bump)皆位于同一面，能简易地让多根接脚分别与该多个覆晶的焊点依照全波整流器的电路配置来焊接组合后，经过成型封装及切脚步骤即完成成品的制作；其成品具备全波整流功能，并具有简化工艺、降低成本以及缩小体积的功效，有别于传统由二/四颗单晶粒所组成的全波整流器。 | ||
| 搜索关键词： | 覆晶式 半导体 整流 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种覆晶式半导体全波整流元件的制造方法，其特征在于，至少包含一颗PNNP型及/或一颗NPPN型覆晶、以及一片具有多根接脚的料片或基板，其中该PNNP型及/或NPPN型覆晶的全部焊点皆位于同一面，料片或基板的多根接脚分别与该PNNP型及/或NPPN型覆晶的焊点依照全波整流器的电路配置来焊接组合后，经封装成型及切脚即完成成品的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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