[发明专利]提高MOS器件窄宽度效应的方法无效
| 申请号： | 201110231901.8 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102931126A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高MOS器件窄宽度效应的方法，通过在所述浅沟槽隔离结构的绝缘氧化层表层中注入离子，快速退火后在半导体衬底和浅沟槽隔离结构的接触界面形成一层掺杂阻挡层，阻挡了半导体衬底中，特别是窄宽度沟道区域中的离子侵蚀到浅沟槽隔离结构的绝缘氧化层中，从而提高MOS器件窄宽度效应，改善阈值电压的分布，提高载流子迁移率，降低寄生结电容。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 mos 器件 宽度 效应 方法 | ||
【主权项】：
一种提高MOS器件窄宽度效应的方法，其特征在于，包括：提供具有浅沟槽的半导体衬底，所述浅沟槽内壁形成有衬氧化层；向所述浅沟槽中填充绝缘氧化层，并平坦化所述绝缘氧化层形成浅沟槽隔离结构；在所述半导体衬底上形成暴露出所述浅沟槽隔离结构的图案化掩膜层；以所述图案化掩膜层为掩膜，向所述浅沟槽隔离结构的表层注入离子；移除所述图案化掩膜层并快速退火，在所述浅沟槽隔离结构中形成掺杂阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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