[发明专利]定位半导体芯片长距离金属线间缺陷的方法无效
| 申请号： | 201110230794.7 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102928764A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 赖华平;陈修明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种定位半导体芯片长距离金属线间缺陷的方法，包括步骤：1)对芯片进行研磨剥层处理，暴露待分析金属线的至少端头部分；2)在待分析金属线的端头附近，且与金属线没有交接的区域，垫积出与各条待分析金属线对应的金属垫；3)在待分析金属线的端头和对应的金属垫之间，垫积出用于连接端头和金属垫的金属条；4)在金属垫上扎针，进行光致阻抗变化测试，定出缺陷在金属线上的具体位置。该方法通过结合使用一系列的失效分析技术，实现了对特定长距离金属线间缺陷的更快速、准确和有效的定位。 | ||
| 搜索关键词： | 定位 半导体 芯片 长距离 金属线 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种定位半导体芯片长距离金属线间缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)研磨芯片，除去待分析金属线所在金属层以上的层次，将待分析金属线的至少端头部分暴露出来；2)在待分析金属线的端头附近，且与金属线没有交接的区域，垫积出与各条待分析金属线相对应的金属垫；3)在待分析金属线的端头和对应的金属垫之间，垫积出用于连接该端头和金属垫的金属条；金属条相互分离，并不与待分析金属线的非端头区域相交；4)在金属垫上扎针，进行光致阻抗变化测试，定出缺陷在待分析金属线上的具体位置。
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