[发明专利]集成有肖特基二极管的绝缘栅双极晶体管结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种集成有肖特基二极管的绝缘栅双极晶体管结构，包括IGBT，所述IGBT的N型漂移区的顶部包括被多晶硅栅覆盖的区域和未被多晶硅栅覆盖的区域，未被多晶硅栅覆盖的区域与其上方金属形成肖特基接触，使肖特基二极管与IGBT集成在一起，与IGBT的集电极-发射极形成并联关系。本发明将肖特基二极管集成在IGBT中，当IGBT电流从发射极向集电极导通时，能够起续流作用，从而使开关速度提高，开关功耗降低；当IGBT电流从集电极向发射极导通关断时，能够为少数载流子的反向恢复多提供一旁路，从而使得续流关断的反向恢复时间大大减小，开关速度提高。本发明还公开了一种集成有肖特基二极管的绝缘栅双极晶体管结构的制备方法。

主权项

一种集成有肖特基二极管的绝缘栅双极晶体管结构，包括绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述绝缘栅双极晶体管的N型漂移区的顶部包括被多晶硅栅覆盖的区域和未被多晶硅栅覆盖的区域，未被多晶硅栅覆盖的区域与其上方金属形成肖特基接触，使肖特基二极管与绝缘栅双极晶体管集成在一起，与绝缘栅双极晶体管的集电极‑发射极形成并联关系；所述肖特基二极管的阳极通过正面金属与IGBT发射极相连，肖特基二极管的阴极通过背面金属与IGBT的集电极相连。