[发明专利]半导体器件安全工作区测试方法和系统有效

专利信息
申请号: 201110227412.5 申请日: 2011-08-09
公开(公告)号: CN102931113A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 马书嫏 申请(专利权)人: 无锡华润上华科技有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮;李辰
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种半导体器件安全工作区测试方法和系统,所述方法包括:根据半导体器件应力测试结果,获知半导体器件在应力条件下的工作参数值和应力寿命值;获取所述半导体器件在不同工作环境下的工作参数值;根据每种工作环境下的工作参数值以及所述应力条件下的工作参数值和应力寿命值,计算得到每种工作环境下的寿命值;判断所述每种工作环境下的寿命值是否符合预设标准,并根据判断结果确定半导体器件的安全工作区。本发明实施例的计算结果准确,因而能够得到准确的安全工作区,使得误差较小。
搜索关键词: 半导体器件 安全 工作 测试 方法 系统
【主权项】:
一种半导体器件安全工作区测试方法,其特征在于,所述方法包括:根据半导体器件应力测试结果,获知半导体器件在应力条件下的工作参数值和应力寿命值;获取所述半导体器件在不同工作环境下的工作参数值;根据每种工作环境下的工作参数值以及所述应力条件下的工作参数值和应力寿命值,计算得到每种工作环境下的寿命值;判断所述每种工作环境下的寿命值是否符合预设标准,并根据判断结果确定半导体器件的安全工作区。
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