[发明专利]NMOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201110226194.3 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102931232A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 赵猛;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种NMOS晶体管及其形成方法，所述NMOS晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的第一开口、位于所述第一开口的底部且与所述第一开口接触的第二开口、位于所述第二开口底部且与所述第二开口接触的第三开口，所述第二开口向所述栅极结构的一侧突出；填充所述开口的碳化硅应力层，其中所述第三开口内碳化硅应力层的碳元素的摩尔百分比小于所述第二开口内碳化硅应力层的碳元素的摩尔百分比。所述第二开口向所述栅极结构的一侧突出，且所述第二开口内的碳化硅应力层的碳元素的摩尔百分比较高，使得所述源/漏区能更有效地拉伸沟道区的晶格结构，提高电子在沟道区的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种NMOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的开口，所述开口包括位于所述栅极结构两侧且与所述栅极结构接触的第一开口、位于所述第一开口的底部且与所述第一开口接触的第二开口、位于所述第二开口底部且与所述第二开口接触的第三开口，所述第二开口向所述栅极结构的一侧突出；填充所述开口的碳化硅应力层，其中所述第三开口内碳化硅应力层的碳元素的摩尔百分比小于所述第二开口内碳化硅应力层的碳元素的摩尔百分比。
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