[发明专利]半导体激光器TO封装结构及方法无效
| 申请号： | 201110218489.6 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102290704A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 冯美鑫;张书明;王辉;刘建平;曾畅;李增成;王怀兵;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器TO封装结构及方法。该封装结构包括半导体激光器芯片，该芯片的至少一侧面经至少一过渡热沉与至少一热沉固定连接，且该芯片、过渡热沉和热沉均固定在管座上，并被封装于由该管座和一封帽围合形成的封闭腔体中。该方法为：在半导体激光器芯片的至少一侧面上固定连接至少一过渡热沉，而后将每一过渡热沉分别与一热沉固定连接，其后将该芯片、过渡热沉及热沉均固定在管座上，并在保护气氛中封盖，形成半导体激光器封装结构。本发明采用高热导率过渡热沉与热沉组合的结构，尤其是采用双热沉结构，可有效增强TO封装的半导体激光器的散热能力，大幅地降低激光器有源区的节温，减小激光器的热阻，延长半导体激光器的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 to 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器TO封装结构，包括半导体激光器芯片，其特征在于：所述半导体激光器芯片的至少一侧面经至少一过渡热沉与至少一热沉固定连接，且所述半导体激光器芯片、过渡热沉和热沉均固定在TO管座上，并被封装于由所述管座和一封帽围合形成的封闭腔体中。
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