[发明专利]多腔室半导体处理装置

摘要

本发明揭露了一种多腔室半导体处理装置，所述多腔室半导体处理装置包括至少两个沿纵向分布的用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，每个微腔室包括形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，每个微腔室的上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和所述下腔室部可沿纵向贯穿所述柱位孔的立柱的导引在一用于装载或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于容纳和处理半导体晶圆的关闭位置之间相对移动。与现有技术相比，本发明中的多腔室半导体处理装置采用立柱导引结构，并在所述立柱上纵向设置多个微腔室。使得所述多腔室半导体处理装置能够同时对多个半导体晶圆进行单晶圆化学处理。

主权项

一种多腔室半导体处理装置，其特征在于，其包括：包括至少两个沿纵向分布的用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，每个微腔室包括形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，所述上腔室部和所述下腔室部可沿纵向贯穿其边缘的立柱的导引在一用于装载或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于容纳和处理半导体晶圆的关闭位置之间相对移动，在关闭位置时，半导体晶圆安置于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口。