[发明专利]一种提高浅沟槽隔离制程均匀度的方法

摘要

本发明涉及一种半导体制备技术领域，更确切的说，本发明涉及一种提高浅沟槽隔离制程均匀度的方法。于浅沟槽的侧壁及底部进行第一薄膜的沉积，所用沉积方法的反应气体所产生的部分等离子体溅射或蚀刻浅沟槽的侧壁及底部，在伴随沉积第一薄膜的同时还对浅沟槽的侧壁及底部的形貌起到修正作用，以对填充在浅沟槽的侧壁及底部的第一薄膜的形貌起到修正作用；继续在侧壁及底部形成有薄膜的浅沟槽中进行第二薄膜的填充，形成覆盖晶圆的第二薄膜；最后进行CMP去除浅沟槽上多余的第二薄膜沉积物；采用本发明提供的方法所沉积的薄膜具有更佳的均匀性，所得晶圆在后续的STICMP操作中更易实施，且方法操作简便，稳定可靠。

主权项

一种提高浅沟槽隔离制程均匀度的方法，在晶圆上形成有多个用于制备浅沟槽隔离结构的浅沟槽，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、于浅沟槽的侧壁及底部进行第一薄膜的沉积，此步骤中所利用的沉积方法的反应气体所产生的部分等离子体溅射或蚀刻浅沟槽的侧壁及底部，在伴随沉积第一薄膜的同时还对浅沟槽的侧壁及底部的形貌起到修正作用，以对填充在浅沟槽的侧壁及底部的第一薄膜的形貌起到修正作用；步骤2、继续在侧壁及底部形成有薄膜的浅沟槽中进行第二薄膜的填充，形成覆盖晶圆的第二薄膜；步骤3、进行化学机械研磨去除浅沟槽上多余的第二薄膜沉积物；其中，步骤2所利用的沉积方法不同于步骤1中的沉积方法，步骤2所利用的沉积方法所淀积的第二薄膜的均匀性优于第一薄膜，以保障后续对第二薄膜的化学机械研磨中，第二薄膜各个区域的研磨具有均匀的研磨速率。