[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110178141.9 申请日: 2011-06-29
公开(公告)号: CN102332445A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 漆畑博可 申请(专利权)人: 安森美半导体贸易公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/00;H01L21/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 岳雪兰
地址: 英属百慕*** 国省代码: 百慕大群岛;BM
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在对金属带进行超声波接合时,为了防止岛部的浮动,利用接合装置的紧固装置,需要按压岛部的周边区域或者设置在岛部周围的支承引脚。然而,随着装置的小型化,在不能确保足够的岛部周边区域的情况下,或者在未设有支承引脚的情况下,存在不能按压岛部侧的问题。在岛部的与引线相对的一边设有以和引线端部相同的高度向引线侧突出的突出部。通过利用紧固装置同时按压突出部和引线端部,在未设有支承引脚或者岛部周围没有按压区域的情况下,也能够防止岛部的浮动。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具有:半导体元件,在其主表面配置有电极;岛部,其固定有该半导体元件;引线,其与该岛部分离并相对配置,与所述半导体元件电连接,一部分导出到外部;金属带,其一端与所述半导体元件的所述电极固定,而另一端与所述引线固定;在所述岛部设有从所述岛部的与所述引线相对的一边向所述引线附近突出的突出部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安森美半导体贸易公司,未经安森美半导体贸易公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110178141.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top