[发明专利]一种半导体发光器件及电流扩散层的制备方法有效
| 申请号： | 201110163904.2 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102832297A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 陈万世;张旺 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C14/08;C23C14/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光器件中电流扩散层的制备方法，所述方法包括以下步骤：S11、提供一承载所述电流扩散层的外延片，在所述外延片上通过直流电子枪加热蒸发ITO源沉积一ITO薄膜层；S12、在沉积完85-90%厚度的ITO薄膜层的同时，通过脉冲电流电子枪加热蒸发掺杂的ZnO源，控制脉冲电流的占空比，在所述ITO薄膜层上沉积一层间断排列的掺杂的ZnO薄膜，所述掺杂的ZnO薄膜的沉积速率大于ITO薄膜层的沉积速率；S13、在沉积完掺杂的ZnO薄膜层的同时，继续通过直流电子枪加热蒸发ITO源沉积ITO薄膜层，使掺杂的ZnO薄膜层掩埋在ITO薄膜层中。本发明还提供一种半导体发光器件的制备方法。本发明实现了原位的粗化方法，节约了生产成本；同时，不需要使用腐蚀液，提供了安全保障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 器件 电流 扩散 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件中电流扩散层的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S11、提供一承载所述电流扩散层的外延片，在所述外延片上通过直流电子枪加热蒸发ITO源沉积一ITO薄膜层；S12、在沉积完85‑90%厚度的ITO薄膜层的同时，通过脉冲电流电子枪加热蒸发掺杂的ZnO源，控制脉冲电流的占空比，在所述ITO薄膜层上沉积一层间断排列的掺杂的ZnO薄膜，所述掺杂的ZnO薄膜的沉积速率大于ITO薄膜层的沉积速率；S13、在沉积完掺杂的ZnO薄膜层的同时，继续通过直流电子枪加热蒸发ITO源沉积ITO薄膜层，使掺杂的ZnO薄膜层掩埋在ITO薄膜层中。
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