[发明专利]叠置P+-P结势垒控制肖特基二极管

摘要

本发明提供的是一种叠置P+-P结势垒控制肖特基二极管。包括N+衬底区(100)、N型漂移区(101)、叠置P+-P结构P+部分(102)、阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层(106)、肖特基接触(107)、欧姆接触(108)，还包括叠置P+-P结构P部分(103)，叠置P+-P结构P+窗口部分(102)在叠置P+-P结构P窗口部分(103)上面。本发明在形成区域叠置P+-P结构P+部分前，形成类似JBS网状的一层相互分离的区域叠置P+-P结构P部分，在不牺牲器件正向导通特性的前提下，提高结势垒肖特基二极管器件的反向耐压，同时降低输出电容。本发明具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。

主权项

一种叠置P+‑P结势垒控制肖特基二极管，包括N+衬底区100)、N型漂移区(101)、叠置P+‑P结构P+部分(102)、阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层106)、肖特基接触(107)、欧姆接触108)，其特征是：还包括叠置P+‑P结构P部分(103)，叠置P+‑P结构P+窗口部分(102)在叠置P+‑P结构P窗口部分(103)上面。