[发明专利]氮化物系半导体发光结构有效
| 申请号： | 201110053394.3 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102655196A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 赖彦霖 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;龚镇雄 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物系半导体发光结构，其发光主波长介于500至540纳米之间，其包含P型氮化物系半导体层、N型氮化物系半导体层及氮化物系半导体主动层。所述的氮化物系半导体主动层形成于P型氮化物系半导体层及N型氮化物系半导体层之间。此外，氮化物系半导体主动层包含复数对量子井结构，每一对量子井结构堆栈成为夹层状。再者，每一对量子井结构包含一井层及一阻障层，其中每一阻障层的厚度介于10至25纳米之间。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化物系半导体发光结构，包含：一P型氮化物系半导体层；一N型氮化物系半导体层；以及一氮化物系半导体主动层，其形成于该P型氮化物系半导体层及该N型氮化物系半导体层之间，其特征在于，该氮化物系半导体主动层包含复数对量子井结构，该复数对量子井结构的发光主波长介于500至540纳米之间，且每一该复数对量子井结构包含一井层及一阻障层，该阻障层厚度介于10至25纳米之间。
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