[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统有效
| 申请号： | 201110051540.9 | 申请日： | 2011-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102214756A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 朴径旭 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/04;H01L33/36;H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统。该发光器件包括：第一发光结构层，该第一发光结构层包括：包括多个半导体层的第一发光结构层、在第一发光结构层上的第一电极、在第一发光结构层下面的第一绝缘层、在第一反射层下面的包括多个半导体层的第二发光结构层、在第二发光结构层下面的第二反射层、在第二发光结构层和第一反射层之间的结合层、以及将第一发光结构层并行地连接到第二发光结构层的多个连接构件。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 封装 以及 照明 系统 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一发光结构层，所述第一发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的第一有源层；第一电极，所述第一电极连接到所述第一导电类型半导体层；在所述第一发光结构层下面的第一反射层；第二发光结构层，所述第二发光结构层包括第三导电类型半导体层、第四导电类型半导体层以及在所述第三导电类型半导体层和所述第四导电类型半导体层之间的第二有源层；在所述第二发光结构层下面的第二反射层；在所述第二发光结构层和所述第一反射层之间的结合层；第一连接构件，所述第一连接构件将所述第一发光结构层的第一导电类型半导体层连接到所述第二发光结构层的第三导电类型半导体层；以及第二连接构件，所述第二连接构件将所述第一发光结构层的第二导电类型半导体层连接到所述第二发光结构层的第四导电类型半导体层。
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