[发明专利]沉积膜形成装置及沉积膜形成方法无效
| 申请号： | 201080029564.8 | 申请日： | 2010-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102471886A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 伊藤宪和;稻叶真一郎;松居宏史 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/507 | 分类号： | C23C16/507;H01L31/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂宁乐;向勇 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个方式的沉积膜形成装置，具有：腔室；第一电极，其位于所述腔室内；第二电极，其位于所述腔室内，且与所述第一电极隔开规定间隔，该第二电极具有：第一供给部，其用于将第一原料气体供给至所述第一电极和所述第二电极之间的空间；多个第二供给部，它们用于将第二原料气体供给至所述空间；第一供给路径，其与所述第一供给部相连接，用于导入所述第一原料气体；第二供给路径，其与所述第二供给部相连接，用于导入所述第二原料气体，该沉积膜形成装置的特征在于，所述第二供给路径具有：干流部，其具有用于导入所述第二原料气体的第一导入口；支流部，其具有多个气体流路，这些气体流路具有用于从该干流部导入所述第二原料气体的第二导入口，在该支流部的多个所述气体流路分别连接有多个所述第二供给部，所述干流部及所述支流部，具有使所述第二原料气体不以顺流的方式从所述第一导入口流至所述第二供给部的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 形成 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种沉积膜形成装置，具有：腔室；第一电极，其位于所述腔室内；第二电极，其位于所述腔室内，且与所述第一电极隔开规定间隔，该第二电极具有：第一供给部，其用于将第一原料气体供给至所述第一电极和所述第二电极之间的空间；多个第二供给部，它们用于将第二原料气体供给至所述空间；第一供给路径，其与所述第一供给部相连接，用于导入所述第一原料气体；第二供给路径，其与所述第二供给部相连接，用于导入所述第二原料气体，该沉积膜形成装置的特征在于，所述第二供给路径具有：干流部，其具有用于导入所述第二原料气体的第一导入口；支流部，其具有多个气体流路，这些气体流路具有用于从该干流部导入所述第二原料气体的第二导入口，在该支流部的多个所述气体流路分别与多个所述第二供给部相连接，所述干流部及所述支流部，具有使所述第二原料气体不以顺流的方式从所述第一导入口流至所述第二供给部的结构。
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- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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