[发明专利]改良膜厚度不均匀性与粒子表现的CVD设备有效
申请号: | 201080018346.4 | 申请日: | 2010-04-20 |
公开(公告)号: | CN102414794A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | B·特兰;崔安青;B·L·黄;S·T·恩古耶;A·N·恩古耶;S·M·佐伊特;X·陶 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施例提供用于诸如藉由化学气相沉积(CVD)在基材上沉积层的改良的设备。在此所揭露的本发明的设备可有利地助于实现以下效果的一种或多种:在给定的处理腔室内沉积具有减少的膜厚度不均匀性的膜、改良的粒子表现(例如,在处理腔室中所形成的膜上的粒子减少)、在多个处理腔室中的腔室对腔室表现匹配以及改良的处理腔室耐用性。 | ||
搜索关键词: | 改良 厚度 不均匀 粒子 表现 cvd 设备 | ||
【主权项】:
一种用于处理基材的设备,包括:处理腔室,所述处理腔室具有下部组件以及上部组件,所述上部组件经由铰合件可动地耦接至所述上部组件,其中所述下部组件包括腔室主体,所述腔室主体具有配置在所述腔室主体中的基材支撑组件,且其中所述上部组件包括盖;以及气体馈入装置,所述气体馈入装置耦接至所述腔室主体以及所述盖,以助于气体从气体板流至所述处理腔室的内部,其中所述气体馈入装置包含耦接至所述盖的上部主体以及耦接至所述腔室主体的下部主体,其中所述上部主体包括一个或多个上部通口,而所述下部主体包括对应的一个或多个下部通口,且其中当所述盖在关闭位置时,所述一个或多个上部通口与所述对应的一个或多个下部通口配合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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